Nisshinbo Micro Devices

R5449Z 单节锂离子电池保护 IC

Nisshinbo Micro Devices 的锂离子电池保护 IC 非常适合高侧 N 沟道 MOSFET 和温度监控

Nisshinbo 的 R5449Z 单节锂离子电池保护 IC 的图片Nisshinbo Micro Devices R5449Z 单节锂离子/聚合物电池保护 IC 提供过充、过放电、放电/充电过流和温度检测电路。该 IC 可驱动外部高端 N 沟道 MOSFET，提供过充和过流的高精度检测以及 0 V 电池的高精度充电抑制。R5449 IC 可以在检测到过放电后通过关闭内部电路将电源电流降至最低。附加的 CTL 引脚可以强制 IC 进入待机模式。

特性
  • 绝对最大额定值：6.5 V
  • 正常模式供电电流：5.0 μA（典型值）
  • 待机电流：最大 0.04 μA
  • 封装：WLCSP-8-P8（1.50 毫米 x 1.08 毫米 x 0.34 毫米）
  • 探测器可选范围和精度：
    • 过充电检测电压：4.2 V 至 4.6 V（步长 0.005 V，±10 mV）
    • 过放电检测电压 (VDET2)：2.0 V 至 3.4 V（步长 0.005 V，±35 mV）
    • 放电过流检测电压 (VDET3)：0.012 V 至 0.150 V（步长 0.001 V）
    • 充电过流检测电压：-0.150 V 至 -0.012 V（步长 0.001 V）
    • 短路检测电压 (VSHORT)：0.032 V 至 0.200 V（步长 0.005 V，±3 mV）
    • VSHORT 可配置范围取决于 VDET3 的设定值
    • 0 V 电池充电抑制电压：1.25 V 至 2.00 V（步长 0.05 V，±50 mV）
    • 热检测温度：+40°C 至 +85°C（步长 +5°C，±3°C）
  • 内部固定输出延迟时间：
    • 过充检测延迟时间：1024 ms/2048 ms/3072 ms/4096 ms
    • 过放电检测延迟时间：16 ms/32 ms/128 ms
    • 放电过流检测延迟时间：32ms/128ms/256ms/512ms/1024ms
    • 短路检测延迟时间：280 μs
    • 充电过流检测延迟时间：8 ms
    • 热检测延迟时间：128 ms/512 ms/1024 ms/4096 ms
  • 可选功能：
    • 充电过流检测：启用/禁用
    • 0 V 电池充电：禁止
    • 过流检测：高端（RSENS 至 V+）
    • 热保护：充电和放电电流
    • 外部 NTC 热敏电阻：100kΩ/470kΩ
    • 温度监测周期：
      • 无感时间 (TTNS)：90 ms/528 ms/1040 ms
      • 检测时间 (TTS)：10 ms
    • 电流检测：电阻/FET
应用
  • 电池组锂离子保护 IC
  • 智能手机
  • 电子产品
发布日期： 2024-05-07