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高性能 N 沟道 MOSFET
Nexperia 提供先进的 TrenchMOS 技术，以提高可靠性和性能
Nexperia 高性能 N 沟道 MOSFET 专为各种应用中的高效率电源管理而设计。这些 MOSFET 采用 TrenchMOS 技术来提供卓越的性能和可靠性。它们采用紧凑的 LFPAK56 和 LFPAK88 封装，非常适合空间受限的设计。这些 MOSFET 具有高峰值漏极电流、低 RDS(on) 和高工作结温等特性，适用于广泛的应用，包括同步整流、DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。PSMN 系列提供逻辑级和标准级栅极驱动选项，为不同的设计要求提供灵活性。这些 MOSFET 还可耐受 +175°C 的温度，确保在严苛环境下实现稳健的性能。
特性
- N 沟道 ASFET
- 最大漏源电压 100 V
- 低 RDS(ON)：53 mΩ (PSMN047-100NSE)
- 低 RDS(ON)：82 mΩ (PSMN071-100NSE)
- 增强型 SOA
- 紧凑型 DFN2020 封装
- 比 LFPAK33 封装小 60％
- 低 I2R 传导损耗
- 极低的 IDSS 泄漏
- 高功率 PoE 性能（60 W 及更高）
- 容错负载开关
- 高效的浪涌管理
- 适合电子保险丝应用
- 可靠的继电器更换
- 强大的热管理
应用
- PoE 系统
- IEEE802.3at 和专有 PoE 解决方案
- 浪涌管理
- eFuse 应用
- 电池管理系统
- 继电器替代品
- Wi-Fi® 热点
- 5G 微蜂窝
- 闭路电视系统
- 高压侧负载开关
- 工业自动化
- 电信设备
- 数据中心
- 网络基础设施
- 消费类电子产品
Single FETs, MOSFETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PSMN4R1-60YLX | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 1519 - 立即发货 | $3.07 | 查看详情 |
|  | PSMNR70-40SSHJ | MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88 | 4711 - 立即发货 | $8.36 | 查看详情 |
| | PSMNR82-30YLEX | PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK | 1067 - 立即发货 | $5.56 | 查看详情 |
| | PSMNR90-50SLHAX | PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 | 3316 - 立即发货 | $9.42 | 查看详情 |
|  | PSMNR90-80ASEJ | PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12 | 852 - 立即发货 | $14.98 | 查看详情 |
FET, MOSFET Arrays
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | PSMN4R2-40VSHX | MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D | 0 - 立即发货 | $3.54 | 查看详情 |
| | PSMN013-40VLDX | MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D | 5858 - 立即发货 | $2.73 | 查看详情 |
| | PSMN012-60HLX | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D | 0 - 立即发货 | $2.80 | 查看详情 |
更新日期： 2025-04-08
发布日期： 2025-01-21
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