NGD4300 双 MOSFET 栅极驱动器

Nexperia 的 NGD4300 包括一系列高性能双 MOSFET 栅极驱动器，旨在驱动同步降压或半桥配置中的高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。这些器件经过精心设计，可提供强大而高效的栅极驱动能力，峰值拉电流为 4 A，峰值灌电流为 5 A。浮动高压侧驱动器可在高达 120 V 的轨电压下工作，并使用带有集成二极管的自举电源。低压侧和高压侧输出驱动器均具有独立的欠压锁定 (UVLO) 电路，当驱动器电源低于其阈值水平时，该电路将禁用输出驱动器。

NGD4300 接受符合低至 2.5 V (±10%) 的 TTL 和 CMOS 信号的输入控制信号，确保与各种控制系统兼容。内部稳压器提供的低电压用于为控制低压侧和高压侧电源开关的信号路径中的电路供电，从而实现低功耗运行和更好控制的驱动器性能，而不受 IC 电源电压的影响。低压侧和高压侧信号路径实现了典型值为 1 ns 的出色延迟匹配。NGD4300 采用 SO8、HWSON8 和 HSO8 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。