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分离栅技术 MOSFET
MCC 的分离栅技术 MOSFET 可满足应用对节省空间和高效率的要求
Micro Commercial Components 分离栅技术 MOSFET 具有极低的 RDS(on) 值，并允许在较小的封装中提供更高的电流密度。这使其能满足在应用中节省空间和高效率的要求。
分离栅技术的优势
- 增大 BVDSS
- 漂移区中较高的 N 掺杂使 RDS(on) 最小化
- 降低 QGD，减少米勒电荷耦合
- 改进的 FOM 减少了开关和传导损耗
- 当前 SGT 产品组合普通封装的额定电压范围为 30 V 至 150 V，最低 RDS(on) 为 1.5 mΩ
特性和优势
- 各种 LV MOSFET 产品组合
- 低 RSP 值（特定导通电阻）
- 高效率
- 高品质
- 交货快
Split-Gate Technology MOSFET's
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCAC80N10Y-TP | MOSFET N-CH 100 80A DFN5060 | 18765 - 立即发货 | $3.79 | 查看详情 |
| | MCAC30N06Y-TP | MOSFET N-CH 60 30A DFN5060 | 0 - 立即发货 | $1.63 | 查看详情 |
| | MCAC50N10Y-TP | MOSFET N-CH 100 50A DFN5060 | 7397 - 立即发货 | $3.43 | 查看详情 |
|  | MCU60P06-TP | MOSFET P-CH 60V 60A DPAK | 14047 - 立即发货 | $4.46 | 查看详情 |
发布日期： 2020-05-22
新加坡