采用 TOLL-8L 封装的 MCTL1D0N08Y-TP N 沟道 MOSFET

采用 TOLL 封装的 MCC 80 V、1.0 mΩ、320 A、N 沟道 MOSFET 专为电源转换转换而设计

采用 TOLL-8L 封装的 MCC MCTL1D0N08Y-TP N 沟道 MOSFET 图片Micro Commercial Components (MCC) MCTL1D0N08Y-TP 高性能 N 沟道 MOSFET 采用创新的 TOLL 封装,专为最严苛的商业和工业电源转换应用而设计。它兼具超低的 1.0 mΩ 导通电阻和高达 320 A 的连续电流额定规格。TOLL-8L 封装是 D2PAK 的卓越替代方案,可为现代高频开关模式电源和电机驱动提供更高的功率密度、更好的热性能和更快的开关速度。

特点

  • 具有超低导通电阻 RDS(ON)(VGS = 10 V 时,最大仅 1 mΩ),最大限度减少了导通损耗并提高了系统整体效率
  • 采用经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术,实现了低导通电阻和高开关速度
  • 80 V VDS 额定规格使其在 48 V 系统中能够稳定运行,并具有充足的电压瞬变裕量,因此适用于电信和工业应用
  • 支持 320 A 连续漏极电流,从而能够在服务器开关模式电源和工业电机控制等严苛电路中实现强大的功率容量
  • 结环热阻更低 (+40°C/W),最大结温 TJ (max) 达 +175°C,支持重工业应用
应用
  • 开关模式电源
  • 电池管理系统
  • 工业电机驱动和控制
  • 太阳能和储能逆变器
  • 大电流 DC/DC 转换器
  • 电信和网络基础设施

MCTL1D0N08Y-TP N-Channel MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压(Vdss)可供货数量价格查看详情
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发布日期: 2025-11-20