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MCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP P 沟道 MOSFET 采用 DFN3333 和 DFN5060 封装
MCC P 沟道 MOSFET 的设计漏源电压 (VDS) 为 100 V，因此非常适合高压应用
Micro Commercial Components (MCC) 高性能 P 沟道 MOSFET 旨在简化高压侧开关设计，尤其是采用紧凑型 DFN333 封装的 MCG052P10Y-TP 和采用 DFN5060 封装的 MCAC054P10Y-TP。这些器件兼具低导通电阻 (RDS(ON)) 与强大的连续电流额定值，可提供高效的电源管理。MCG052P10Y-TP 具有 52 mΩ 导通电阻和 16 A 连续电流额定值，而 MCAC054P10Y-TP 则具有 54 mΩ 导通电阻和 16 A 连续电流额定值，以及更高的 25 A 连续电流额定值。这两个 MOSFET 都采用了分离栅沟槽技术，确保了优异的稳定性、低导通电阻和高效率，以满足苛刻的应用需求。
特性
- VGS = 10 V 时，导通电阻 RDS(ON) 的最大值分别为 52 mΩ 和 54 mΩ，最大限度减少了传导损耗并提高了系统整体效率
- 经优化的分离栅沟槽 MOSFET 技术降低了开关损耗并提高了效率
- 100 V VDS 非常适合高压应用
- 更低的 +5°C/W 热阻和 +1.86°C/W 结到环境热阻实现了到 PCB 的高效传热，因而能够在高功率水平下稳定运行，避免发生即时热关断
- 符合 RoHS 指令，且不含卤素，符合全球环境标准和绿色制造倡议
应用
- 配电和负载切换服务器、存储系统和网络设备
- BMS
- DC/DC 转换器
- 专业音频放大器
- 工业电机驱动和电磁阀控制
MCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP P-Channel MOSFETs in DFN3333 and DFN5060 Packaging
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCG052P10Y-TP | P-CHANNEL MOSFET,DFN3333 | 5000 - 立即发货 | $1.89 | 查看详情 |
|  | MCAC054P10Y-TP | P-CHANNEL MOSFET,DFN5060 | 4899 - 立即发货 | $2.02 | 查看详情 |
发布日期： 2026-01-27
