Micro Commercial Components (MCC)

MCACD6D3N06Y-TP 60 V N 沟道 MOSFET

Micro Commercial Components 的 MCACD6D3N06Y-TP 采用分离栅沟槽式 MOSFET 技术，针对低导通电阻和高开关速度进行了优化

Micro Commercial Co 的 MCACD6D3N06Y-TP 60 V N 沟道 MOSFET 图片Micro Commercial Components 的 MCACD6D3N06Y-TP 高性能单 N 沟道 MOSFET 采用节省空间的 PDFN5060-8D 封装。该器件具有 6.3 mΩ 的极低导通电阻 RDS(ON)，可为最严苛的空间受限型应用提供无与伦比的功率密度和效率。

特性
  • 采用经优化的分离栅沟槽式 MOSFET 技术，实现了低导通电阻 RDS(ON) 和高开关速度
  • 在 VGS = 10 V 时，导通电阻 RDS(ON) 低至 6.3 mΩ（最大值），最大限度减少了传导损耗，降低了发热量，并提高了系统整体效率
  • 符合 RoHS 指令，且不含卤素，符合全球环境标准和绿色制造倡议。
  • 60 V 漏源电压 (VDS) 额定规格提供了充足的裕量，足以应对采用标准 48 V 电池系统的应用中的电压尖峰和瞬时振荡
  • 1.6°C/W 的低结壳热阻有助于改善热传递并支持在更高功率条件下稳定运行。
  • 最大结温 TJ (max.) 可达 +175°C，适用于重工业应用
  • PDFN5060-8D 封装专为空间受限和散热要求高的应用而设计
  • 底部大面积裸露导热垫，确保卓越的热性能
  • 坚固的设计确保了出色的机械稳定性，并与标准 SMT 装配自动化兼容
应用
  • 开关电源
  • 电池管理系统 (BMS)
  • 工业电机驱动和控制
  • 低压无人机和无人飞行器电源系统
  • 服务器背板的功率路径管理采用 OR-ing 配置

MCACD6D3N06Y-TP 60 V N-Channel MOSFET

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发布日期： 2026-01-28