采用 DFN5060 封装的 MCAC3D0P03L-TP 30 V P 沟道 MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCAC3D0P03L-TP 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用节省空间的 DFN5060 封装。该器件旨在简化高压侧开关设计，兼具 3.0 mΩ 的低导通电阻和强大的 120 A 连续电流额定值。它为设计人员提供了一种紧凑高效的解决方案，用于在空间受限的应用中控制电源轨。

特性

• 在 V_GS = 10 V 时，导通电阻 R_DS(on) 最大值仅为 3.0 mΩ，可最大限度地减少导通损耗并提高系统整体效率。
• 采用经优化的沟槽式低压 MOSFET 技术，可降低开关损耗并提高效率
• 0.82°C/W 的更低结壳热阻实现了到 PCB 的高效传热，因而能够在高功率水平下稳定运行，避免发生即时热关断
• 30 V 漏源电压 (V_DS) 非常适合 12 V 电源总线应用，可提供充足的运行裕量