TVS 二极管

使用我们广泛的瞬态电压抑制器保护您的设计

Littelfuse TVS 二极管用于保护半导体元件免受高压瞬态的危害。该系列 p-n 结的横截面积大于普通二极管，能够将大电流接地且无持续性损坏。Littelfuse 提供的 TVS 二极管的峰值额定功率为 200 W 至 15 kW，反向断态电压为 5 V 至 495 V。

TVS 二极管
立即购买

什么是 TVS 二极管？它们有何不同之处？

TVS 二极管是旨在保护敏感电子设备免受高压瞬变影响的电子元器件。它们对过压事件的响应速度比大多数其他类型的电路保护器件更快，并且提供多种表面贴装和通孔电路板安装方式。

TVS 二极管的作用原理是，其 p-n 结的横截面积大于普通二极管，能够将大电流接地且不会造成持续性损害，从而将电压限制在某个电平（被称为“钳位”器件）。

TVS 二极管通常用于保护传输线路或数据线路以及电子电路，避免因雷击、感性负载开关和静电放电 (ESD) 等引起电气过压。

虽然 Littelfuse TVS 二极管适用于各种电路保护应用，但它们主要用于保护电信和工业设备、计算机和消费电子产品中的 I/O 接口。

Littlefuse TVS 二极管的特性包括：

低增量浪涌电阻
提供单向和双向极性
反向断态电压范围为 5 至 512 V
符合 RoHS 规范 — 雾锡无铅电镀
表面贴装额定功率范围：200 W 到 5,000 W
轴向引线额定功率范围：400 W 到 30,000 W (30 kW)
可提供 3 kA 至 10 kA 的大功率电流保护
部分系列已通过 AEC 认证

与其他二极管技术的比较

比较二极管技术
二极管类	应用	评论
传统二极管、整流器	电源控制	用于“控制”大电流；将交流电转换为直流电。通常采用 TO-220 等大型封装。
齐纳二极管	电源控制	适用于调节电源中的直流电压。通常采用中型到大型封装（轴向、TO-220）。
硅雪崩二极管 (SAD)、瞬态电压抑制器 (TVS)	过压保护	适用于保护暴露于高能量事件（例如雷击电涌或电路机械切换 (EFT) 引起的电压瞬变）的电路。通常采用中型封装（轴向、DO-214）。
二极管阵列	过压保护	二极管阵列属于更广泛的硅保护阵列 (SPA) 类别，其目标是提供 ESD 保护。通常采用小型表面贴装封装（SOIC-8、SOT-23、SC-70 等）。
肖特基二极管	电源控制	适用于开关模式电源所需的高频 (HF) 整流。
变容二极管	射频调谐	唯一已知的利用结电容特性的二极管应用。

按工作特性比较

比较工作特性
二极管类	反向击穿电压（VBR、VZ）	电容 (CJ)	评论
传统二极管、整流器	800-1500 V	非常高	AC 至 DC 电源转换
齐纳二极管	高达 100 V	中到高	直流电源调节
硅雪崩二极管 (SAD)	高达 600 V	中等	雷击电涌和电压瞬变保护
二极管阵列	高达 50 V	低 (< 50pF)	高频数据电路的 ESD 保护

按器件结构比较

肖特基二极管由金属-半导体结形成。从电气角度来看，它通过多数载流子传导，具有快速响应、较低的漏电流和正向偏置电压 (VF)。肖特基二极管广泛应用于高频电路中。

齐纳二极管由重掺杂的 P-N 半导体结形成。有两种物理效应可以称为齐纳态（齐纳效应和雪崩效应）。当对 p-n 结施加较低的反向电压时，p-n 结由于量子效应而导通，从而发生齐纳效应。当对 p-n 结反向施加大于 5.5 伏的电压时，产生的电子空穴对与晶格发生碰撞，就会发生雪崩效应。基于齐纳效应的齐纳二极管被广泛用作电子电路中的电压基准源。

TVS 二极管是由专门设计的 P-N 半导体结形成的，用于提供浪涌保护。该 p-n 结通常包覆涂层，以防止在非导通状态下过早出现电压电弧。当发生瞬态电压事件时，TVS 二极管导通，利用雪崩效应钳制瞬态电压。TVS 二极管广泛用作电信、通用电子设备和数字消费市场的过压电路保护器件，提供雷击、ESD 和其他电压瞬变保护。

SPA 代表硅保护阵列。它是采用多引脚结构封装的集成 p-n 结、SCR 或其他硅保护结构的二极管阵列。在存在多种保护机会的电信、通用电子设备和数字消费市场，SPA 可用作集成式 ESD、雷电和 EFT 保护解决方案。例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口的 ESD 保护。