IXYS

600 V 超结 X3 HiPerFET™ 分立式 MOSFET

IXYS 的 X3 级 N 沟道 MOSFET 具有低导通电阻 [RDS(ON)] 和低栅极电荷 (Qg)

IXYS 的 600 V 超结 X3 HiPerFET™ 分立式 MOSFET 图片IXYS 属于 Littelfuse Technology，现推出 N 沟道超结 MOSFET，它具有出色的品质因数（RDS(ON) 乘以 Qg），可以实现最低的传导和开关损耗，从而在电力系统中获得更高的功率密度和能源效率。最新的超结 X3 级功率 MOSFET 具有显著降低的通道电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg。与之前的 X2 级相比，该系列的品质因数 (FOM) 有了显著降低，FOM 等于 RDS(ON) × Qg。这些优势使设计人员能够实现更高的效率和功率密度。该 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 采用体二极管，可提供低反向恢复电荷 (QRM) 和短反向恢复时间 (trr)。超结、X3 级 600 V MOSFETS 可用于下列应用，包括电信电源同步整流、电机控制、不间断电源、DC-DC 转换器、太阳能逆变器和多电平逆变器。

资源

特性
  • 低导通电阻 [RDS(ON)] 和低栅极电荷 (QG)
  • 快速软恢复体二极管
  • dv/dt 稳健性
  • 卓越的雪崩能力
  • 国际标准封装
应用
  • 轻型电动汽车电池充电器
  • 开关同步整流
  • 电源
  • 电机控制
  • DC-DC 转换器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电动叉车
  • D 类音频放大器
  • 电信系统

600 V Ultra Junction X3 HiPerFET™ Discrete MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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700 - 厂方库存		$11.41查看详情
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发布日期： 2021-12-07