XHP™ 2 2,300 V CoolSiC™ MOSFET

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            XHP™ 2 2,300 V CoolSiC™ MOSFET
                    Infineon Technologies MOSFET 采用半桥拓扑结构和低电感标准化封装
    

Infineon XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET 图片 Infineon Technologies XHP 2 CoolSiC MOSFET 2,300 V、1.0 mΩ 模块采用半桥拓扑结构和低电感标准化封装。它利用强大的 .XT 互连技术，实现了更长的使用寿命和一流的可靠性，并且还提供预涂热界面材料 (TIM) 的产品，以简化装配并提高热一致性。

特性

2.3 kV 沟槽栅 CoolSiC MOSFET 具有经现场验证的长期稳定性和可靠性
开关损耗和传导损耗低，R_DS(ON) 低至 1.0 mΩ（+25°C 时）

低电感、标准化 XHP 2 封装
采用 .XT 互连技术，实现一流的可靠性和更长的使用寿命

应用

储能系统
牵引

可再生能源
光伏逆变器

XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET

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