CoolSiC™ MOSFET 1400V G2 分立器件采用 TO-247PLUS-4 回流焊封装

Infineon 1,400 V 8 mΩ CoolSiC™ MOSFET 分立器件采用 TO-247PLUS-4 回流焊封装，是一款高性能器件，旨在用于电动汽车充电、储能系统和自主驾驶车辆等高要求应用。它采用了 CoolSiC MOSFET G2 1,400 V 技术的最新进展，提供了卓越的散热管理、更高的功率密度和增强的可靠性。该器件采用可回流焊的封装设计，支持最多三次回流焊循环，从而降低热阻并提高整体系统效率。主要特点包括高电压额定值、低导通电阻和先进的散热管理功能。该设备兼具高功率、高效率和高可靠性，是高功率应用的理想选择，可提高系统性能并减少能量损耗。