1,200 V IGBT7 TRENCHSTOP™ MOSFET

Infineon Technologies 的第 7 代 1,200 V TRENCHSTOP^™ IGBT 在分立式 IGBT 和二极管技术领域树立了标杆。这种独特的分立式产品采用四种不同的封装类型，提供高达 140 A 的高额定电流产品组合，与前几代产品相比，传导参数 VCE(sat) 降低 50%，开关损耗降低多达 84%。它们固有地提供了简单的 EMI 设计和在恶劣条件（包括 HV-H3TRB 和宇宙射线稳健性）应用中的更高可靠性。这项技术有史以来第一次可用于 1,200 V 分立式 IGBT 市场。查看包括 H7、S7 和 T7 系列在内的完整产品系列，这些系列具有针对特定应用的优化性能。

S7 系列：1,200 V TRENCHSTOP IGBT7 S7 产品组合是所有需要短路能力/稳固性的工业应用的最佳选择。基准效率和耐短路分立器件提供的饱和电压比前几代产品至少低 10%。精选器件与极佳软特性的完全额定 EC7（发射极控制）二极管共封装，可显着降低 IGBT 饱和度 VCE(sat) 和低 Q_rr。该系列提供卓越的可控性和短路耐用性，扩展了传统 IGBT 器件的基准。

H7 系列：1,200 V IGBT 共封装分立器件使用 TRENCHSTOP IGBT7 H7 结合发射极控制的 EC7 快速二极管技术，提供特定、同类最佳的传导和开关功率损耗性能，结合恶劣条件下的稳健性以及独特的高额定电流产品组合，涵盖 40 A 至 140 A，采用 TO-247 封装。由此产生的性能有助于满足现代快速切换工业逆变器系统日益增长的要求。

现有 T7 系列：这个 650 V 系列是第一个采用最新微图案沟槽技术设计的系列，可提供无与伦比的控制和性能，以及一个续流二极管，可显着降低损耗、提高效率和增加功率密度。它旨在在单个解决方案中实现从低于 5 kHz 到 40 kHz 的开关频率灵活性。它是前几代产品的一对一替代产品，具有改进的性能并针对工业电机驱动和控制进行了优化。