MOT1113T4 TOLT 100 V 1.1 mΩ N 沟道 MOSFET

Guangdong Inmark Electronics 的 MOSFET 为紧凑型电子器件的设计提供了更多可能性,并且比传统系列产品具有更好的散热性能

Guangdong Inmark Electronics 的 MOT1113T4 TOLT 100V 1.1 mΩ N 沟道 MOSFET 图片Guangdong Inmark Electronics 的 MOT1113T4 是一款采用 TOLL 封装,VDS 为 100 V、ID 为 399 A 的低压、大功率 N 沟道 MOSET。它具有封装尺寸小、开关速度快、导通电阻 RDS(ON) 低、散热性能好、抗振动和抗冲击性能强等诸多优点。该 MOSFET 广泛应用于各种电子设备中,尤其是在需要快速开关和高效能量转换的场合。不仅应用范围广,而且经济实惠,主要用于各种大功率产品,例如 BMS 电源电池保护、电机控制和驱动、同步整流以及开关应用。

特性
  • 采用 MOT 先进的双沟槽技术
  • 低导通电阻 (RDS(ON) ≤ 1.3 mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 低反向转移电容
  • 100% 通过雪崩测试
  • 采用无铅电镀,符合 RoHS 规范
应用
  • 电池管理系统 (BMS)
  • 电机控制和驱动
  • 同步整流
  • 开关应用
发布日期: 2026-03-24