氮化镓半导体

EPC 的氮化镓半导体是大表面积无线电源的核心

EPC 的氮化镓半导体图片EPC 具有集成自举 FET 的 100 V EPC2107 和 60 V EPC2108 增强型氮化镓 (eGaN) 半桥功率集成电路消除了栅极驱动器引起的反向恢复损耗以及对高压侧钳位的需求。这些产品专为谐振无线功率传输应用而设计,可实现高效终端系统的快速设计,为大规模采用无线电源电路奠定基础。

特性
  • 更高的开关频率
    • 降低开关损耗,降低寄生电感,降低驱动功率
  • 一体化设计
    • 提高效率,增加功率密度,降低装配成本
  • 小封装
    • 低电感、外形极小,1.35 mm x 1.35 mm BGA 表面贴装钝化内核
应用
  • 5G 无线电源
  • 移动设备
  • 机器人
  • 工业自动化
  • 医疗设备和汽车

GaN Semiconductors

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MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA636 - 立即发货$3.57查看详情

Associated Development Boards

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发布日期: 2018-12-27