EPC2033/EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FET

EPC 用 EPC2033 和 EPC2034 器件扩大了其“宽松间距”器件系列的阵容

EPC 的 EPC2033/EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FETEPC2033 和 EPC2034 采用 1 mm 焊球间距,扩大了 EPC 的“宽松间距”器件系列的阵容。 较大的间距允许在器件下方布置其它较大的通孔,从而在 2.6 mm x 4.6 mm 这样极小的基底面内也能实现高载流能力。这些器件的最高工作温度为 150°C,脉冲电流能力为 200 A (150 V EPC2034) 和 140 A (EPC2033)。

与具有相似导通电阻的先进硅功率 MOSFET 相比,这些产品不但体积更小,而且具有胜过前者许多倍的开关性能。 这些产品是许多应用的理想器件,如高频 DC/DC 转换器、DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流、电机驱动器和 LED 照明和工业自动化。

为简化这些高性能 eGaN FET 的评估过程,我们提供 EPC9047 开发板,以便对 EPC2033 进行“在线”性能评估。该开发板包括了所有关键电气元件,这些元件能方便地与任何现有转换器连接。

EPC9047 采用半桥拓扑结构,尺寸为 2" x 1.5"。 该开发板包含两个采用 Texas Instruments UCC27611 栅极驱动器的 EPC2033 eGaN FET,以及电源和旁路电容器。 该开发板包含实现最佳开关性能所需的全部关键元件和布局,并具有多个探头点,以简化简单波形测量、提升计算效率。

特性 应用
  • EPC2033 - VDS, 150 V
  • EPC2033 - 最大 RDS(ON), 7 MΩ
  • EPC2034 - VDS, 200 V
  • EPC2034 - 最大 RDS(ON), 10 MΩ
  • ID, 31 A
  • 符合 RoHS 规范
  • 无卤素
  • 高频 DC-DC 转换
  • 电机驱动器
  • 工业自动化
  • D 类音频
优势
  • 更高的开关频率 – 更低的开关损耗和更低的驱动功率
  • 更高的效率 – 更低的导通和开关损耗、反向恢复零损耗
  • 更小的基底面 - 更高的功率密度

EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs

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DEV BRD EPC2034C 200V EGAN FETEPC9048CDEV BRD EPC2034C 200V EGAN FET-57 - 立即发货查看详情
发布日期: 2015-06-04