碳化硅 (SiC) MOSFET 和二极管

Diodes Incorporated 的 WBG 材料比硅材料更具优势，例如，SiC 可以承受比硅高出 5 倍 (3 kV) 的电压，且击穿电压 (BV) 更高。SiC 的开关速度也比硅快 10 倍，可将开关损耗降至最低。导热性能高 3 倍，可提高功率耗散、减小散热器尺寸。相较于 GaN，SiC 的热导率更高和封装密度更大，因此更适合高功率应用。

SiC MOSFET

与硅 MOSFET 相比，选择 SiC MOSFET 具有更多优势，例如开关频率更高，电感器、电容器、滤波器和变压器等元件尺寸更小等。

Diodes 1200 V SiC MOSFET 专为要求最高效率和紧凑设计的高压开关电源应用而设计。这款产品采用高输出电流、低导通电阻以及行业标准 TO263-7、TO247 和 TO247-4 封装，非常适合电机驱动器、DC/DC 转换器、太阳能逆变器以及电动汽车电池充电器应用。

SiC 二极管

Diodes SiC Schottky 二极管电压范围为 650 V 到 1200 V。这款产品提供绝缘 TO220、标准 TO220 以及 TO252 等多种封装选择，为追求效率、稳健性和快速上市的设计人员提供了极大的灵活性。Diodes 汽车级 650 V 和 1200 V SiC 二极管符合 AEC-Q101 标准。