AP74502Q/AP74502HQ 低 IQ 理想二极管控制器

Diodes Incorporated 符合汽车规范的 AP74502Q 和 AP74502HQ 理想二极管控制器为反极性和过压情况提供了简单又经济高效的保护解决方案。它们驱动两个外部背靠背 N 沟道 MOSFET，与其过压锁定 (OVLO) 引脚相结合，提供输入过压保护以及有限的浪涌电流控制。

AP74502Q 具有 60 µA 的峰值栅极驱动源能力，可提供更长的开启时间和浪涌电流限制。AP74502HQ 具有 11 mA 峰值栅极驱动源容量。

AP74502Q 和 AP74502HQ 没有反向电流阻断功能，适用于可能将能量返回输入电源的负载的输入反极性保护。这包括汽车车身控制模块电机负载。3.2 V 至 75 V 的宽电源输入范围支持现有 12 V 和 24 V 电池系统中的 RVP 和过压保护，以及 xEV 汽车中使用量不断增长的 48 V 汽车电池系统。其 3.2 V 工作能力确保即使在汽车系统严酷的冷启动条件下也能正常运行。AP74502Q 和 AP74502HQ 采用行业标准的 SOT-28 封装。