高性能存储器解决方案

Infineon 在分立存储器半导体领域拥有 40 多年的经验，为汽车、工业、消费和通信应用提供一流的存储器产品，引领行业发展。Infineon 于 1982 年推出了其首款随机存取存储器，并从此发展成为涵盖 NOR 闪存、pSRAM、SRAM、nvSRAM 和 F-RAM 等一系列产品的公司。凭借无与伦比的质量和长期供应协议，以及对未来新技术投资的坚定承诺，Infineon DRAM 解决方案将在未来几十年继续引领行业。

易失性和非易失性设备特性的差异化组合：

  • SEMPER™ 系列安全、可靠且性能卓越的 NOR 闪存
  • EXCELON™ 系列超低功耗、高性能、可靠的 F-RAM 产品
  • 基于 HYPERBUS™ 接口的 HYPERFLASH™ NOR 闪存
  • HYPERRAM™ pSRAM 存储器。
  • NOR 闪存
  • F-RAM
  • nvSRAM
  • SRAM
  • pSRAM

NOR 闪存

Infineon 的 NOR 闪存产品经过精心架构和设计，以确保最高水平的安全性、可靠性和保密性。长寿命计划提供了长期供应连续性的保证，并辅以零缺陷政策以确保卓越的品质。一整套设计工具和支持资源可用于简化设计工艺并加快上市时间。Infineon 的 NOR 闪存拥有专为工业、汽车、通信和数据中心应用量身定制的广泛产品组合，可在所有条件下提供可靠性能的竞争优势。

SEMPER™ 是 Infineon 的下一代 NOR 闪存系列，其架构和设计均注重功能安全，确保每个系统每次都能启动到已知状态并可靠运行。当信任和完整性至关重要时，SEMPER™ Secure 器件会添加硬件信任根和加密引擎，以实现经过身份验证的访问、远程身份验证以及具有云到芯片安全性的安全 OTA 更新。对于可穿戴式和其他微型电池供电设备，SEMPER™ Nano 提供最小的外形尺寸和最低的功耗，以最大限度地提高电池的使用寿命。

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NOR 闪存产品

主要特性

  • 64 Mb 到 4 Gb 非易失性存储器
  • 高性能串行和并行接口
  • 集成功能安全特性与 ASIL-D 合规性
  • 高达 256 万次编程/擦除周期
  • 40 年数据保存期
  • 工作温度高达 +125°C
  • 片载，片上硬件纠错码 (ECC)
  • 芯片内执行 (XiP)

优势

  • 实现即时启动，读取吞吐量高达 400 MB/s 和 XiP
  • 即使在恶劣的操作条件下也能可靠地存储数据长达 25 年
  • 与来自广泛芯片组合作伙伴生态系统的热门 SoC 配对
  • 通过 SafeBoot 和错误检查确保安全可靠的运行
  • 利用 SEMPER™ Solutions Hub SDK 加速上市时间
  • 确保产品供应和使用寿命超过 10 年
NOR 闪存
产品系列 容量 接口 电压 速度 目标应用
SEMPER™ NOR 闪存 256 MB -
4GB		 QSPI、八进制 xSPI、HYPERBUS™ 1.8 V、
3.0 V		 高达 400 MB/s 机器人、工业自动化与驱动、汽车 ADAS、 安全关键操作，高速、快速启动
SEMPER™ 安全 NOR 闪存 128 MB -
256 MB		 1.8 V、
3.0 V		 高达 400 MB/s 网络、监控、智能工厂、数据中心、 安全启动和存储、安全的端到端转换
SEMPER™ Nano 256 Mb QSPI 1.8 V 最高 52 MB/s 耳戴式设备、可穿戴式、智能传感器、便携式医疗， 紧凑、可靠、低功耗、内置 ECC
HYPERFLASH™ 128 MB -
512 MB		 HYPERBUS™ 1.8 V、
3.0 V		 高达 333 MB/s 工业 HMI、数字显示器、汽车仪表盘、 即时启动、图像和图形存储
标准串行 NOR 闪存 64 Mb -
1 GB		 QSPI、双 QSPI 1.8 V、
3.0 V		 高达 204 MB/s 工业、计算、通信和汽车、 可靠启动代码和数据存储
标准并行 NOR 闪存 64 MB -
2 GB		 16/8 位页面模式 3.0 V 低至 70 ns/ 15 ns 工业、医疗、航空航天和国防、 可靠启动代码和数据存储

F-RAM

F-RAM（铁电随机存取存储器或 FeRAM）是一种独立的非易失性存储器，使设计人员能够在电源中断时立即捕获并保存关键数据。它们是需要连续和低功耗数据记录的关键任务应用的理想选择。F-RAM 具有紧凑的外形尺寸，可实现零延迟写入、几乎无限的写入以及完全的磁干扰耐受性，而不会影响可靠性、性能和能量效率。

Infineon 的下一代 EXCELON™ F-RAM 系列将业界最低的静态电流与高速、低引脚统计接口、即时非易失性和无限读/写周期相结合，确保了高系统可靠性和超低电压。

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FRAM 产品

主要特性

  • 非易失性存储容量从 4 Kb 到 16 Mb
  • 高性能串行和并行接口
  • 无延迟写入，以总线速度将数据写入存储器单元
  • 读/写耐久性超过 10 14（100 万亿）次
  • 在 +85 °C 温度下数据可保存 10 年以上
  • 工作温度高达 +125°C
  • 不受磁场干扰和辐射

优势

  • 断电时立即捕获系统数据
  • 在整个系统生命周期内持续记录数据
  • 在恶劣的工业和汽车环境中可靠运行
  • 比 EEPROM 能耗低 200 倍，比 NOR 闪存能耗低 3,000 倍
  • 简化系统设计，无需耗损均衡固件开销
  • 确保产品供应和使用寿命超过 10 年
F-RAM
产品系列 容量 接口 电压 速度 目标应用
EXCELON™ Ultra F-RAM 2 Mb –
16 MB		 QSPI 1.8 V、
3.0 V		 高达 108 MHz 工业自动化和驱动器、企业服务器和 RAID 存储、机器人
EXCELON™ 汽车 F-RAM 1 Mb –
16 MB		 SPI、QSPI 1.8 V、
3.0 V		 高达 108 MHz 汽车 EDR、前视摄像头、ADAS、信息娱乐、电池管理系统
EXCELON™ LP F-RAM 2 Mb –
16 MB		 SPI 1.8 V、
3.3 V		 高达 50 MHz 智能量表、智能医疗、可穿戴物联网传感器、太阳能逆变器、多功能一体机
标准 F-RAM 4 Kb –
4 Mb		 I²C、SPI、并行
(x8, x16)		 3.3 V、
5.0 V		 高达 40 MHz，最低 60 ns 工业自动化和驱动、智能量表、汽车、太阳能逆变器、储能

nvSRAM

nvSRAM（非易失性 SRAM）是一种独立的非易失性存储器，当电源中断时，它可以立即捕获系统数据的副本并将其保存到非易失性存储器中，并允许在恢复时调用数据。Infineon nvSRAM 将业界领先的 SRAM 技术与同类最佳的 SONOS 非易失性存储器技术相结合，提供可靠、高性能数据记录存储器的全面产品组合，无需系统中的备用电池或更大的超级电容器。

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nvSRAM 产品

主要特性

  • 非易失性存储从 64 Kb 到 16 Mb
  • 高性能串行和并行接口
  • 最快访问时间为 20 ns 的并行接口解决方案
  • SRAM 阵列无限读/写耐久性
  • 在 +85 °C 温度下可保存数据超过 20 年
  • 可选实时时钟 (RTC)
  • 不受磁场干扰和辐射

优势

  • 断电时立即捕获系统数据
  • 在整个系统生命周期内持续记录数据
  • 在恶劣的工业和汽车环境中可靠运行
  • 无需电池或大型超级电容器
  • 简化系统设计，无需耗损均衡固件开销
  • 确保产品供应和使用寿命超过 10 年
nvSRAM
产品系列 容量 接口 电压 速度 目标应用
并行 nvSRAM 256 Kb –
16 Mb		 并行
(x8, x16, x32)		 3.0 V、双 3.0 V 和 1.8 V I/O 低至 20 ns 工业自动化与驱动、网络、赌场游戏机
串行 NVSRAM 64 Kb –
1 Mb		 I²C、SPI、QSPI 3.0 V、5.0 V、双 3.0 V 和 1.8 VI/O 高达 104 MHz 网络、监控、智能工厂、数据中心、 安全启动和存储、安全的端到端转换

SRAM

SRAM（静态 RAM）是一种独立的随机存取存储器，为设计人员提供了一种在其应用中添加更多 RAM 的简便方法。与 DRAM 不同，SRAM 不需要定期刷新，这使得它们对于缓冲区和缓存应用来说速度更快、更节能、更可靠。Infineon 提供业界最广泛的异步和同步 SRAM 产品组合，并承诺提供稳定的产品供应和长期支持。

Infineon 最新一代 65 纳米 SRAM 配备片上硬件 ECC（错误校正码），可显著改善软错误率 (SER) 性能，达到 ≤ 0.1 FIT/Mb。

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SRAM 产品

主要特性

  • 最广泛的异步和同步 SRAM 产品组合
  • 高性能异步总线，访问时间为 10 ns
  • 使用 QDR™ -IV 同步 SRAM，速度高达 1,066 MHz
  • 超低待机电流，（8 Mb 时最大值 6.5 µA）
  • 片上 ECC
  • 与传统 SRAM 产品兼容

优势

  • 最大程度延长电池供电数据采集用例的电池寿命
  • 增加实时数据访问的存储器带宽
  • 实现高达 2,132 MT/s 的随机交易率 (QDR™-IV)
  • 确保数据可靠性，SER 性能 ≤0.1 FIT/Mb
  • 确保产品供应和使用寿命超过 10 年
SRAM
产品系列 容量 接口 电压 速度 目标应用
MoBL™ 异步 SRAM 256 Kb –
64 Mb		 并行
(x8, x16, x32)		 1.8 V、3.0 V、5.0 V 低至 45 ns 工业自动化和驱动、网络、赌场游戏机、胰岛素泵
快速异步 SRAM 256 Kb –
32 Mb		 并行
(x8, x16, x32)		 1.8 V、3.0 V、5.0 V 低至 10 ns 工业自动化、网络、企业服务器、航空航天和国防
同步静态内存 4 Mb –
144 Mb		 并行
(x18, x36, x72)		 1.3 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V 高达 2,132 MT/s 网络、图像处理、医疗仪器、企业服务器、航空航天和国防

pSRAM

Infineon 提供全面的 HYPERRAM™/Octal xSPI 伪静态 RAM (pSRAM) 存储器产品组合，容量从 64 Mb 到 512 Mb。HYPERRAM™ 以其独特的高带宽和低引脚数优势，成为各种工业和汽车应用的理想选择，这些应用需要额外的 RAM 来缓冲数据、音频、图像、视频，或作为数学和数据密集型操作的暂存器。这些高效节能的 pSRAM 也是电池供电的消费类和可穿戴式设备的理想扩展存储器选择。

Infineon 的 HYPERRAM™ 在称为 HYPERBUS™ 低信号速率计数 DDR 接口上运行，与 SDR DRAM 等竞争技术相比，它可以实现每个处理器引脚的高读写吞吐量。

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pSRAM 产品

主要特性

  • 可扩展容量选项从 64 Mb 到 512 Mb
  • 低引脚计数 HYPERBUS™ 或八进制 xSPI 总线
  • 6 mm x 8 mm 紧凑外型
  • 工作频率高达 200 kHz DDR
  • 节能混合休眠模式
  • 工作温度高达 +125°C

优势

  • 实现高达 800 MB/s 的数据吞吐量，实现高速缓冲
  • 与竞争扩展 RAM 相比，占用的处理器引脚更少
  • 采用紧凑的 48 mm2 外形尺寸，节省电路板空间
  • 与来自广泛芯片组合作伙伴生态系统的基于 HYPERBUS™ 的 SoC 配对
  • 确保产品供应和使用寿命超过 10 年
pSRAM
产品系列 容量 接口 电压 速度 目标应用
HYPERRAM™ 2.0 64 Mb - 512 Gb HYPERBUS™
Octal xSPI		 1.8 V、3.0 V 高达 400 MB/s 可穿戴物联网设备、HMI 显示器、工业机器视觉、汽车仪表组
HYPERRAM™ 3.0 256 Mb HYPERBUS™
x16 扩展 I/O		 1.8 V 高达 800 MB/s 工业机器视觉摄像机、物联网设备、汽车 V2X