Coto Technology

CotoMOS ® S117T/S117S 碳化硅 MOSFET 继电器

Coto Technology S117T 和 S117S SiC MOSFET 继电器设计用于处理和维持 1700 V 的负载电压，同时支持高达 170 mA 的电流

CotoMOS® S117T/S117S 碳化硅 MOSFET 继电器图片 Coto Technology S117T（通孔版本）和 S117S（表面贴装版本）碳化硅 (SiC) MOSFET 继电器设计用于处理高达 1700 V 的负载电压，同时支持高达 170 mA 的电流。S117T 和 S117S SiC 继电器具有多种优点，包括低开关损耗、高击穿电压和低 RDS(ON) 电阻。SiC 材料出色的耐用性保证了其在恶劣环境下，即使在变化的湿度和很宽的温度范围内也具有可靠的性能。这些继电器特别适合需要高电压、高温和高频功能的应用。主要目标市场包括电池管理系统、工厂自动化控制、电动汽车充电站、太阳能逆变器和智能电网。

相关的应用说明
特性
  • 触点外形：1 A
  • 负载电压：1700 V（交流峰值或直流）
  • 低导通电阻：15 Ω（典型值）
  • 输出电容：20 pF
  • 低断态漏电流：最大 1 μA。
  • 封装类型：6-DIP 或 SMD
  • 碳化硅场效应晶体管输出
应用
  • 电池管理系统
  • 工厂自动化控制
  • 电动车辆充电站
  • 太阳能逆变器和智能电网

CotoMOS® S117T/S117S Silicon Carbide MOSFET Relays

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发布日期： 2025-01-15