AEM Central Semiconductor

碳化硅 N 沟道 MOSFET

Central Semiconductor 高性能 1,700 V SiC MOSFET 经优化，适合高效、可靠的电动汽车和电力电子应用

Central Semiconductor 碳化硅 N 沟道 MOSFET 图片Central Semiconductor N 沟道碳化硅 MOSFET 专为高速开关和快速反向恢复应用而设计。

特性
  • 超低导通电阻最大限度减少了传导损耗，提高了能源效率
  • 低输入电容，适用于高速、频率敏感型开关
  • 出色的热稳定性，工作结温高达 +175°C
  • 采用 TO-247 封装，具有高达 1,700 V 的阻断电压，适用于各种电源和电池系统应用
  • 经优化，适合高效且经济实惠的电动汽车、电力电子应用
应用
  • 电动汽车充电

Silicon Carbide N-Channel MOSFETs

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发布日期： 2025-11-19