TK20A60U(Q,M) 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 35
单价: $4.93000
规格书

直接


STMicroelectronics
现货: 636
单价: $11.31000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 949
单价: $5.88000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 990
单价: $6.88000
规格书

类似


onsemi
现货: 582
单价: $6.74000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,534
单价: $8.68000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 695
单价: $5.73000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 9,203
单价: $4.82000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 484
单价: $5.66000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 456
单价: $6.21000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 247
单价: $5.35000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 191
单价: $4.95000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $6.74000
规格书
通孔 N 通道 600 V 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

TK20A60U(Q,M)

DigiKey 零件编号
TK20A60UQM-ND
制造商
制造商产品编号
TK20A60U(Q,M)
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
散装
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
27 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1470 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
45W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
基本产品编号
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

过期
此产品已停产。 查看 替代品。