IRF640 已经过时且不再制造。
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通孔 N 通道 200 V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IRF640

DigiKey 零件编号
497-2759-5-ND
制造商
制造商产品编号
IRF640
描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 200 V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRF640 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
72 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1560 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
基本产品编号
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