类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅(SiC) | |
配置 | 4 N 沟道(全桥) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 116 毫欧 @ 20A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.3V @ 5mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 56nC @ 20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1154pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 208W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | 32-PowerDIP 模块(1.449",36.80mm) | |
供应商器件封装 | APM32 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $71.30000 | $71.30 |
| 10 | $53.98700 | $539.87 |
| 100 | $51.12540 | $5,112.54 |
| 不含 VAT 单价: | $71.30000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $77.71700 |




