FQT3P20TF onsemi | 分立半导体产品

FQT3P20TF
DigiKey 零件编号	FQT3P20TFTR-ND - 卷带（TR） FQT3P20TFCT-ND - 剪切带（CT） FQT3P20TFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FQT3P20TF
描述	MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 200 V 670mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FQT3P20TF 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	QFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	670mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.7 欧姆 @ 335mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	250 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223-4
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号	FQT3P20