FDZ191P onsemi | 分立半导体产品

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	85 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	800 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.9W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-WLCSP（1x1.5）
封装/外壳	6-UFBGA，WLCSP
基本产品编号	FDZ191