FF8MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

FF8MR12W2M1B11BOMA1
DigiKey 零件编号	FF8MR12W2M1B11BOMA1-ND
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	FF8MR12W2M1B11BOMA1
描述	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 150A（Tj）底座安装 AG-EASY2BM-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FF8MR12W2M1B11BOMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™+
包装	托盘
零件状态	停产
技术	碳化硅（SiC）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	150A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7.5 毫欧 @ 150A，15V（典型值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.55V @ 60mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	372nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	11000pF @ 800V
功率 - 最大值	-
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
封装/外壳	模块
供应商器件封装	AG-EASY2BM-2
基本产品编号	FF8MR12