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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
G2R1000MT33J | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1913-G2R1000MT33J-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | G2R1000MT33J |
描述 | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 3300 V 4A（Tc） 74W（Tc） TO-263-7 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | G2R1000MT33J 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 3300 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 2mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +20V，-5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 238 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 74W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263-7 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $33.07000 | $33.07 |
| 50 | $20.03080 | $1,001.54 |
| 100 | $19.58670 | $1,958.67 |
| 不含 VAT 单价: | $33.07000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $36.04630 |
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