



GE12090CDA3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 4014-GE12090CDA3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | GE12090CDA3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 875A 2350W 底座安装 模块 |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | GE Aerospace | |
系列 | * | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅(SiC) | |
配置 | 2 个 N 通道(半桥) | |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 875A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.19 毫欧 @ 950A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 320mA | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 58.6nF @ 600V | |
功率 - 最大值 | 2350W | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $5,534.10000 | $5,534.10 |
| 不含 VAT 单价: | $5,534.10000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6,032.16900 |



