600 V、10.2 A、380 mΩ、N 沟道 SuperFET® II MOSFET

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            600 V、10.2 A、380 mΩ、N 沟道 SuperFET® II MOSFET 
  
                    On Semiconductor 的高电压超级结 MOSFET 采用充电平衡技术

Fairchild 的 N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、10.2 A、380 mΩ 器件图片 SuperFET^® II MOSFET 是 On Semiconductor^® 的第一代采用电荷平衡技术的高电压超级结 (SJ) MOSFET 系列，可实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。这种先进的技术经过针对性调整，最大限度地减少了导通损耗，具有出色的开关性能并承受极高的 dv/dt 速率、更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合各种 AC/DC 电源转换，用于实现系统小型化和更高的能效。

特性
650 V，TJ = 150°C 时最大 RDS(on) = 380 mΩ 超低栅极电荷（典型 Qg = 34nC）		低值、高效输出电容（典型 C0SS. eff = 97pF） 100% 雪崩测试
应用
不间断电源 PDP TV PC 服务器笔记本电脑照明 LED 电视 LCD TV		LCD 监视器 EMS DVD/机顶盒台式 PC DC-DC 商用电源家用电器 AC-DC 商用电源