DMN3027LFG MOSFET 能使电容器安全放电

Diodes 的 DMN3027LFG 30 V、N 沟道 MOSFET 采用高热效 PowerDI3333 封装,用于电容器安全放电

Diodes 的 DMN3027LFG MOSFETDiodes 的 DMN3027LFG 30 V、N 沟道 MOSFET 设计用于 FPGA 电源轨上大容量电容器的快速安全的放电开关。 在电信设备、服务器和数据中心中使用的最新 FPGA 采用了多个电源轨,且需要正确定序,以便为这些系统正确上电和断电。 利用 Diodes 的新型 MOSFET,高可靠性 DC-DC 电源设计人员就能轻松快捷地实现上述功能。 为避免损坏 FPGA 系统,每个电源轨需要在序列中的下一个电源轨前放电。 通过 DMN3027LFG 开关使电容器有效放电,进而使电源轨放电。

特性和优势 应用
  • RDS(on)<26 mΩ
  • 安全工作区域 (SOA)
  • PowerDI3333 – 3.3 mm x 3.3 mm 基底面
  • FPGA 用于以下设备:
    • 电信设备
    • 服务器
    • 数据中心

30 V N-Channel MOSFET

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MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8DMN3027LFG-7MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8537 - 立即发货$1.50查看详情
发布日期: 2015-10-14