表面贴装型 N 通道 800 V 4.3A（Tc） 69W（Tc） TO-252AA
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SIHD4N80E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHD4N80E-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHD4N80E-GE3
描述
MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 800 V 4.3A（Tc） 69W（Tc） TO-252AA
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHD4N80E-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.27 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
622 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
SIHD4
产品问答

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现货: 1,899
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数量
所有价格均以 SGD 计算
散装
数量 单价总价
1$3.47000$3.47
10$2.23100$22.31
100$1.52440$152.44
500$1.22268$611.34
1,000$1.12566$1,125.66
3,000$1.00253$3,007.59
6,000$0.98743$5,924.58
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.47000
含 VAT 单价:$3.78230