TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB21N80AE-GE3

DigiKey 零件编号
742-SIHB21N80AE-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHB21N80AE-GE3
描述
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 800 V 17，4A（Tc） 32W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHB21N80AE-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17，4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1388 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB21
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现货: 655
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$5.42000$5.42
10$3.55400$35.54
100$2.49400$249.40
500$2.04134$1,020.67
1,000$1.89596$1,895.96
2,000$1.81656$3,633.12
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$5.42000
含 VAT 单价:$5.90780
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