晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM
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RN1103MFV,L3F

DigiKey 零件编号
RN1103MFVL3FTR-ND - 卷带（TR）
RN1103MFVL3FCT-ND - 剪切带（CT）
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
RN1103MFV,L3F
描述
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
RN1103MFV,L3F 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
包含电阻器
R1 和 R2
电阻器 - 基极 (R1)
22 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
70 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VESM
基本产品编号
RN1103
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数量
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剪切带（CT）
数量 单价总价
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10$0.13000$1.30
不含 VAT 单价:$0.21000
含 VAT 单价:$0.22890