STU12N60M2 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

类似

IPS80R600P7AKMA1
Rochester Electronics, LLC
现货: 2,980
单价: $1.43188
规格书

类似

SIHU7N60E-E3
Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $1.15984
规格书

类似

TSM60NC390CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 12,981
单价: $3.76000
规格书

类似

TSM60NC620CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 14,440
单价: $2.83000
规格书

类似

TSM60NE285CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 3,726
单价: $4.40000
规格书
查看所有替代品并进行比较
通孔 N 通道 600 V 9A（Tc） 85W（Tc） TO-251（IPAK）
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STU12N60M2

DigiKey 零件编号
497-16024-5-ND
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STU12N60M2
描述
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
原厂标准交货期
56 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 9A（Tc） 85W（Tc） TO-251（IPAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STU12N60M2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
538 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251（IPAK）
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
基本产品编号
STU12
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

按订单供货
查看交期
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后，DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
3,000$0.97174$2,915.22
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$0.97174
含 VAT 单价:$1.05920