STL18NM60N STMicroelectronics | 分立半导体产品

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STL18NM60N
DigiKey 零件编号	497-11847-2-ND - 卷带（TR）
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STL18NM60N
描述	MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 2.1A（Ta），12A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STL18NM60N 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	MDmesh™ II
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.1A（Ta），12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	310 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1000 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3W（Ta），110W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳	4-PowerVDFN
基本产品编号	STL18