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表面贴装型 N 通道 600 V 13A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2PAK）
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表面贴装型 N 通道 600 V 13A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2PAK）
TO-263 D2PAK

STB18NM60ND

DigiKey 零件编号
497-13829-2-ND - 卷带（TR）
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STB18NM60ND
描述
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 13A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
STB18NM60ND 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
STMicroelectronics
系列
FDmesh™ II
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
290 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1030 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
STB18
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