
S3M0012120K | |
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DigiKey 零件编号 | 1655-S3M0012120K-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | S3M0012120K |
描述 | DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1 |
原厂标准交货期 | 12 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 155A(Tc) 937W(Tc) TO-247-4 |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 100A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 347 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +18V,-4V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6358 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 937W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4 | |
封装/外壳 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $28.38000 | $28.38 |
| 30 | $17.86133 | $535.84 |
| 120 | $16.11483 | $1,933.78 |
| 不含 VAT 单价: | $28.38000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $30.93420 |

