RJK60S7DPP-E0#T2 Renesas Electronics Corporation | 分立半导体产品

RJK60S7DPP-E0#T2
DigiKey 零件编号	RJK60S7DPP-E0#T2-ND
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	RJK60S7DPP-E0#T2
描述	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 600 V 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RJK60S7DPP-E0#T2 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	125 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+30V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2300 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	34.7W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220FP
封装/外壳	TO-220-3 整包