NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | 分立半导体产品

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NP88N03KDG-E1-AY
DigiKey 零件编号	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - 卷带（TR）
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	NP88N03KDG-E1-AY
描述	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NP88N03KDG-E1-AY 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Renesas Electronics Corporation
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.4 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	250 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	13500 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB