G3R75MT12J Navitas Semiconductor, Inc. | 分立半导体产品

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产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Navitas Semiconductor, Inc.
系列	G3R™
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.69V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	54 nC @ 15 V
Vgs（最大值）	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1560 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	224W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263-7
封装/外壳	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
基本产品编号	G3R75