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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
MSCSM120HRM311AG | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 150-MSCSM120HRM311AG-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | MSCSM120HRM311AG |
描述 | MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Microchip Technology | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 4 个 N 通道（三级反相器） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV），700V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 89A（Tc），124A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 40A，20V，19 毫欧 @ 40A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 232nC @ 20V，215nC @ 20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3020pF @ 1000V，4500pF @ 700V | |
功率 - 最大值 | 395W（Tc），365W（Tc） | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | - |
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所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $190.34000 | $190.34 |
| 不含 VAT 单价: | $190.34000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $207.47060 |
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