Name: LND150N3-G-P014
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-LND150N3-G-P014TB-ND
Price: 1.0355 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

LND150N3-G-P014
DigiKey 零件编号	150-LND150N3-G-P014CT-ND - 剪切带（CT） 150-LND150N3-G-P014TB-ND - 带盒（TB）
制造商	Microchip Technology
制造商产品编号	LND150N3-G-P014
描述	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
原厂标准交货期	4 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 沟道，耗尽型 500 V 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	LND150N3-G-P014 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Microchip Technology
系列	-
包装	剪切带（CT）带盒（TB）
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道，耗尽型
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	10 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	740mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-92-3
封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
基本产品编号	LND150