SPB100N03S2-03 G 已停产，DigiKey 不再销售。
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参数等效

SPB100N03S203T
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

PSMN2R7-30BL,118
Nexperia USA Inc.
现货: 992
单价: $3.65000
规格书

类似

PSMN3R4-30BL,118
Nexperia USA Inc.
现货: 5
单价: $3.08000
规格书

类似

PSMN4R3-30BL,118
Nexperia USA Inc.
现货: 10,758
单价: $2.97000
规格书
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表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

SPB100N03S2-03 G

DigiKey 零件编号
SPB100N03S2-03G-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
SPB100N03S2-03 G
描述
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7020 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SPB100N
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停产
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卷带（TR）
数量 单价总价
1,000$2.02871$2,028.71
2,000$1.96441$3,928.82
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.02871
含 VAT 单价:$2.21129