ISC0804NLSATMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

ISC0804NLSATMA1
DigiKey 零件编号	448-ISC0804NLSATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISC0804NLSATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISC0804NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	ISC0804NLSATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Ta），59A（Tc） 2.5W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Ta），59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10.9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1600 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），60W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	ISC0804N