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IPD25DP06LMATMA1
Infineon Technologies
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表面贴装型 P 通道 60 V 6.5A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3-313
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IPD25DP06LMSAUMA1

DigiKey 零件编号
IPD25DP06LMSAUMA1-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPD25DP06LMSAUMA1
描述
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 60 V 6.5A（Tc） 28W（Tc） PG-TO252-3-313
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
IPD25DP06
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