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参数等效

CYT3BB5CEBR1AESGST
Infineon Technologies
现货: 0
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ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M7F Traveo™ T2G 微控制器 IC 32 位双核 100MHz，250MHz 4.0625MB（4.0625M x 8） 闪存 100-TEQFP（14x14）
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M7F Traveo™ T2G 微控制器 IC 32 位双核 100MHz，250MHz 4.0625MB（4.0625M x 8） 闪存 100-TEQFP（14x14）
100-LQFP Exposed Pad

CYT3BB5CEBQ1AESGST

DigiKey 零件编号
448-CYT3BB5CEBQ1AESGSTTR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
CYT3BB5CEBQ1AESGST
描述
IC MCU 32BIT 4MB FLASH 100LQFP
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M7F Traveo™ T2G 微控制器 IC 32 位双核 100MHz，250MHz 4.0625MB（4.0625M x 8） 闪存 100-TEQFP（14x14）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
CYT3BB5CEBQ1AESGST 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
Traveo™ T2G
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
核心处理器
ARM® Cortex®-M0+，ARM® Cortex®-M7F
内核规格
32 位双核
速度
100MHz，250MHz
连接能力
CANbus，以太网，I2C，LINbus，eMMC/SD，SPI，UART/USART
外设
掉电检测/复位，DMA，I2S，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数
72
程序存储容量
4.0625MB（4.0625M x 8）
程序存储器类型
闪存
EEPROM 容量
256K x 8
RAM 大小
768K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
2.7V ~ 5.5V
数据转换器
A/D 37x12b SAR
振荡器类型
外部，内部
工作温度
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
100-TEQFP（14x14）
封装/外壳
100-LQFP 祼焊盘
基本产品编号
CYT3BB5
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
数量 单价总价
500$19.35640$9,678.20
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$19.35640
含 VAT 单价:$21.09848