NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb 并联 165-FBGA（15x17）
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CY14V116G7-BZ30XI

DigiKey 零件编号
CY14V116G7-BZ30XI-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
CY14V116G7-BZ30XI
描述
IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
原厂标准交货期
14 周
客户内部零件编号
详细描述
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb 并联 165-FBGA（15x17）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
CY14V116G7-BZ30XI 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
DigiKey 可编程
未验证
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
16Mb
存储器组织
2M x 8，1M x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
30ns
电压 - 供电
1.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA（15x17）
基本产品编号
CY14V116
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210$110.54471$23,214.39
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