半功率和小尺寸 MOSFET

Toshiba 使用先进技术实现了业内领先的低 R_ON 特征。Toshiba 提供行业标准 2 mm x 2 mm 和 2.9 mm x 2.8 mm 封装 MOSFET，实现了诸如智能手机、可穿戴设备之类电池供电型设备中 MOSFET 所需的低损耗和紧凑尺寸。

Toshiba 采用先进的沟槽工艺，使其单元结构小型化，可实现业界领先的低 R_ON。与老一代工艺相比，最新一代沟槽工艺 Pch7 和 Nch9 成功地将每单位面积的导通电阻降低达 70%。它有效降低了传导损耗。

低损耗和紧凑的半导体器件对于降低电源系统和移动应用（如快速充电和 USB PD）的功耗至关重要。例如，SSM6K513NU 是采用 Toshiba 先进技术的 MOSFET，在实际机器测试中（假设供电电流为 5A），与竞争产品相比，它可以实现极低的导通电阻和更低的温升，从而使得传导损耗降低了 27%。