CSD19537Q3 NexFET™ 功率 MOSFET
Texas Instruments 推出低热阻、100 V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
Texas Instruments 的 100 V、12.1 mΩ、SON 3.3 mm × 3.3 mm 功率 MOSFET 旨在最大限度降低电源转换应用的损耗。 这类应用包括初级侧隔离式转换器、 电机控制器。
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CSD19537Q3 NexFET Power MOSFET
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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![]() | ![]() | CSD19537Q3T | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | 100 V | 50A(Ta) | 1040 - 立即发货 | $2.98 | 查看详情 |



