CSD19537Q3 NexFET™ 功率 MOSFET

Texas Instruments 推出低热阻、100 V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

Texas Instruments 的 CSD19537Q3 NexFET™ 功率 MOSFETTexas Instruments 的 100 V、12.1 mΩ、SON 3.3 mm × 3.3 mm 功率 MOSFET 旨在最大限度降低电源转换应用的损耗。 这类应用包括初级侧隔离式转换器、 电机控制器。

特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 热阻低
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 规范
  • 无卤素
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm 塑料封装

CSD19537Q3 NexFET Power MOSFET

图片制造商零件编号描述漏源电压(Vdss)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSONCSD19537Q3TMOSFET N-CH 100V 50A 8VSON100 V50A(Ta)1040 - 立即发货$2.98查看详情
发布日期: 2015-11-12